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第2章是信號(hào)完整性的概述,主要分析了影響信號(hào)完整性的主要因素,并大致介紹了串?dāng)_噪聲(cross-talk),電遷移(Electromigration),電壓下降(IR Drop),天線效應(yīng)(Antenna Effect)和接地反彈與襯底耦合(Ground bounce & Underlay coupling)的情況,而且還簡(jiǎn)要介紹了解決這些影響因素的方法。

  第3章主要研究了串?dāng)_,連線延遲和串?dāng)_是影響深亞微米版圖設(shè)計(jì)的兩個(gè)很重要的因素,兩者都是從時(shí)序上影響設(shè)計(jì)。本章分析了串?dāng)_的起因,串?dāng)_可以由三種耦合機(jī)制引起,即電容、電感和輻射。從本質(zhì)上說(shuō),輻射耦合是一種自感EMI擾亂,并可以把它視作在EMI設(shè)計(jì)框架里面。而且本章還詳細(xì)介紹了電容串?dāng)_和電感串?dāng)_及其解決方法。

  第4章主要研究了電遷移,在電路規(guī)模不斷擴(kuò)大,器件尺寸進(jìn)一步減小時(shí),互連線中電流密度在上升,鋁條中的電遷移現(xiàn)在更為嚴(yán)重,成為VLSI中的一個(gè)主要可靠性問(wèn)題。本章首先介紹了電遷移的原理及其影響因素,然后介紹了它的失效模式,最后分析了電遷移的解決措施。

  第5章主要研究了電壓降,IR Drop是由電線電阻和電源與地之間的電流所產(chǎn)生的。如果電線的電阻值過(guò)高或者單元的電流比預(yù)想的要大,一種難以接受的電壓下降就會(huì)出現(xiàn)。簡(jiǎn)單的增加電線的線寬,降低電阻,并且由此電壓降低,但是同時(shí)它也會(huì)減少布線的面積,并且在大多數(shù)條件下不會(huì)被接受。確立設(shè)計(jì)之后,從事于IR Drop問(wèn)題,當(dāng)今所普遍應(yīng)用的技術(shù)并不是對(duì)這些問(wèn)題行之有效的方法。為了使設(shè)計(jì)中電流下降的位置更加完善,并且可以自動(dòng)地通過(guò)更寬地金屬層為IR Drop的最低估計(jì)值提供路徑,其所需要的是科學(xué)的設(shè)計(jì)和可用來(lái)實(shí)施的工具。本章進(jìn)行了模擬仿真實(shí)驗(yàn),證實(shí)了本章的論述。


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